中信建投看好TLVR推动AI芯片电感市场扩容

中信建投证券研报称，多相TLVR电感是发展趋势，并将成为必须。AI芯片电感正呈现三大变化：单相转向多相、水平供电转向VPD垂直供电，以及NON-TTLVR转向TLVR，分别对应密度、供电效率和单位价值量提升。

中信建投指出，TLVR 芯片电感的单位价值量提升，带动行业空间极速扩容。

中信建投证券研报称，多相TLVR电感将成为AI芯片电感的发展趋势，单相转多相、水平供电转向VPD垂直供电、NON-TTLVR转向TLVR。研报预计，AI芯片电感市场规模从2025年到2028年扩容10倍以上，增长受芯片出货增加、功率上升及单颗电感价值提升驱动。