三星电子与SK海力士计划展出下一代内存技术

韩国综合指数周二一度下跌5.1%，触发Sidecar机制暂停程序化卖盘五分钟，SK海力士跌近8%，三星电子下跌6%。市场同时受到AI交易热情消退、美国国债收益率高企及存储竞争压力影响；长鑫存储称其下一代4F²存储单元架构取得进展，并计划2026年底前推出基于该架构的服务器内存产品。文章还提及本周将公布的美国CPI数据及台积电季度财报，作为市场关注的后续变量。

2026年韩国半导体展览会SEDEX将于14日至16日在首尔举行，三星电子、SK海力士等300家公司将设立888个展位。三星电子将展示HBM、移动处理器及3D存储结构等产品与方案；SK海力士预计将发布第七代HBM（HBM4E）和高带宽闪存（HBF）。展会前，SK海力士公布了用于SSD的紧凑型处理器H-TPU结构，三星电子则被曝正在研发三种z-NAND闪存。

三星电子和SK海力士将于2026年韩国半导体展览会上展出下一代内存技术。展会举办在即。