ASML与蔡司分析Hyper NA EUV技术挑战
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ASML与蔡司分析Hyper NA EUV技术挑战
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AI 综述
ASML与蔡司称，Hyper NA EUV 光刻机的主要挑战是数值孔径提高后可用景深会降低；他们认为，数值孔径不低于 0.75 的设备有望实现 5nm 半间距的光学分辨率，预计约 10 年后面世。 这是两家公司对下一代 EUV 光刻技术的分析与预测，并非设备已经实现相关性能。
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最新进展10月9日 10:29
ASML 与蔡司称 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战是可用景深降低报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月9日
- IT之家ASML 与蔡司称 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战是可用景深降低
ASML 与蔡司在 10 月 1 日发布的文章称，数值孔径不低于 0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm 半间距的光学分辨率，并在 10 年左右面世。
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