摩根大通报告显示半导体与韩国ETF流入走强
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摩根大通报告显示半导体与韩国ETF流入走强
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AI 综述
摩根大通报告显示,10月16日当周全球股票ETF净流入463亿美元,其中3倍做多半导体ETF SOXL流入72亿美元,创历史新高;韩国ETF流入13亿美元,为当年7月以来最强。与此同时,DRAM主题ETF连续第八周遭资金赎回,单周流出9亿美元,也创该类ETF纪录。
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最新进展10月20日 08:51
半导体和韩国ETF资金流入创高,DRAM主题ETF连续八周流出报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
10月20日
- 华尔街见闻半导体和韩国ETF资金流入创高,DRAM主题ETF连续八周流出
摩根大通10月19日发布的资金流向报告显示,全球股票ETF在10月16日当周流入463亿美元,3倍做多半导体ETF SOXL流入72亿美元,创历史新高;韩国ETF流入13亿美元,为今年7月以来最强。DRAM主题ETF连续第八周资金流出,单周赎回9亿美元,为迄今最大规模。报告还提到,CTA基金削减美股敞口并转为做空罗素2000指数,债券资金则从长期美国国债转向市政债券。
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