英飞凌拟投资11亿欧元建设氮化镓基地

英飞凌宣布将在欧洲建设基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。公司计划向奥地利工厂投资11亿欧元，目标是实现相关产品量产。

英飞凌宣布将在欧洲建立基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。公司计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂现有洁净室设施投入约11亿欧元，该基地计划于2027年底投产。