长江存储计划建设武汉第四座NAND工厂
热点事件历史事件
长江存储计划建设武汉第四座NAND工厂
1 篇报道1 个报道来源3 天前更新
先了解这件事
AI 综述
长江存储计划在武汉建设第四座 NAND 工厂，拟生产垂直堆叠层数超过 300 层的 NAND 芯片；目前仍在与供应商初步讨论，尚未正式下单。报道称新厂预计明年动工。该计划尚处筹备阶段。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展11月6日 17:24
消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争达 70%报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月6日
- IT之家消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争达 70%
据路透社援引知情人士消息，长江存储计划在武汉建设第四座 NAND 工厂，拟生产垂直堆叠层数超过 300 层的公司最先进 NAND 芯片。新厂国产设备采购比例拟至少达到 60%、力争达到 70%，预计明年动工，目前仍处于与供应商初步讨论阶段，尚未正式下单。