SK海力士公布3D FeNAND存内计算研究

SK海力士公布了3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。该研究展示了用3D FeNAND进行模拟存内计算的方案，但报道未说明其已投入实际应用。 SK海力士称，FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合存储AI计算所需的权重数据。A-CiM利用模拟信号在存储器内执行乘积累加运算，旨在减少数据搬运并提升处理速度和能效。

AI 根据报道生成 · 1 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。