闪迪推出iNAND CL EM181嵌入式闪存模组
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闪迪推出iNAND CL EM181嵌入式闪存模组
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AI 综述
闪迪在2026年电子展公布iNAND CL EM181嵌入式闪存模组，提供64GB、128GB和256GB容量，顺序读取速度最高300MB/s、顺序写入速度最高225MB/s，面向物理AI、物联网及多类嵌入式应用。 该产品采用e.MMC 5.1A，支持SmartSLC技术和LDPC ECC纠错，工作温度范围为-25至+85℃。报道列举的应用包括机顶盒、智能电视、安防摄像头和数据中心日志记录。
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最新进展11月11日 14:15
闪迪推出面向物理AI和物联网的iNAND CL EM181嵌入式闪存盘报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月11日
- 新浪财经7x24闪迪推出面向物理AI和物联网的iNAND CL EM181嵌入式闪存盘
闪迪在2026年电子展上推出iNAND CL EM181嵌入式闪存盘，扩展面向物理AI和物联网市场的嵌入式闪存解决方案组合。该产品容量为64GB、128GB和256GB，顺序读取速度最高达300MB/s，顺序写入速度最高达225MB/s，面向机顶盒、智能电视、安防摄像头及数据中心日志记录等应用。
- IT之家闪迪公布面向嵌入式应用的 eMMC 模组 iNAND CL EM181
闪迪公布面向嵌入式应用的 e.MMC 5.1A 闪存模组 SANDISK iNAND CL EM181，提供 64GB、128GB 和 256GB 容量，顺序读写速度分别为 300MB/s 和 225MB/s。该模组支持 SmartSLC 技术和 LDPC ECC 纠错，工作温度范围为 -25~+85℃。
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