三星泰勒二厂拟为AMD、英伟达生产HBM基础裸片

据报道，三星电子计划在美国得克萨斯州泰勒市建设第二座晶圆代工厂，专门生产高带宽内存（HBM）所需的基础裸片。泰勒二厂将采用 2 纳米制程，规划产能已全部被客户预订，大部分订单来自 AMD，英伟达也有相关安排；预计 2030 年量产。

三星电子将利用位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。

报道称，三星将在得克萨斯州的第二家工厂生产AMD和英伟达的芯片部件。原文未提供工厂投产时间、产能或具体部件信息。