长鑫科技推进4F²路线,样片验证完成
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长鑫科技推进4F²路线,样片验证完成
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长鑫科技称,其第六代DRAM工艺平台将采用4F²架构,工程样片已完成验证;首代产品计划于今年年底送样,规模量产将根据客户验证进度和市场需求推进。 针对美光选择6F²路线,长鑫科技称,DRAM位密度提升涉及字线、位线和电容结构的综合权衡,各厂商会依据技术积累、产线配置、专利布局及资本开支作出不同选择。
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最新进展10月31日 18:28
长鑫科技回应与美光的4F²架构分歧并披露下一代平台进展报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
10月31日
- 腾讯新闻精选长鑫科技回应与美光的4F²架构分歧并披露下一代平台进展
长鑫科技在第三季度业绩说明会上表示,下一代第六代工艺技术平台将基于4F²架构,且已完成工程样片验证。首代产品计划于今年年底送样,规模量产将根据客户验证进度和市场需求推进。针对美光选择6F²路线的说法,长鑫科技称,不同厂商会依据技术积累、产线配置、专利布局及资本开支结构作出差异化选择。
- 第一财经精选长鑫科技回应与美光的4F² DRAM架构路线分歧
长鑫科技回应美光选择6F²路线、不采用4F²架构的观点,称DRAM位密度提升涉及字线、位线和电容结构的综合权衡,不同厂商会依据技术积累、产线配置、专利布局及资本开支作出不同选择。长鑫科技称,其第六代工艺技术平台将基于4F²架构,已完成工程样片验证,首代产品计划于今年年底送样;规模量产将视客户验证和市场需求推进。