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拉纳德称前沿晶圆产量最多可翻倍

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AI 综述

英特尔 CTO 普什卡·拉纳德称,即使资金充足,全球前沿晶圆产量较现实的扩张上限也约为目前的两倍,而非十倍。拉纳德将限制归因于半导体供应链协同扩产能力不足,并指出 ASML 每年生产的 EUV 光刻机不足 100 台。设备下单后通常约 18 个月交付,新增产能可能要到 2028 年前后才能落地。

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10月23日
  1. IT之家
    英特尔 CTO 称全球前沿晶圆产量扩张上限约为两倍

    英特尔 CTO 普什卡·拉纳德表示,即便资金充足,全球前沿晶圆产量也难以扩大十倍,较现实的增长上限约为两倍。他将限制归因于半导体供应链协同扩产能力不足,并指出 ASML 每年生产的 EUV 光刻机不足 100 台。设备下单后通常约 18 个月交付,产能落地可能要到 2028 年前后。

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