三星计划2027年初完成3D Cube-H开发

三星电子计划于2027年初完成3D Cube-H开发，推出首套设计工具包，并启动潜在客户评估；目前报道描述的是开发计划，尚非已完成或已商用的结果。该技术采用混合键合垂直堆叠芯片，目标互连间距约为6微米，低于三星现有热压键合约25微米的最小间距。

AI 根据报道生成 · 37 分钟前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。