铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片
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铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片
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铭芯启睿宣布，其首代1Gb RRAM芯片“泰山一号”已完成流片，目前正推进芯片验证，尚处于验证阶段。 据报道，该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R存储结构，存储密度为30Mb/mm²、访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。
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最新进展10月14日 13:56
铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片“泰山一号”完成流片报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- 东方财富快讯铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片“泰山一号”完成流片
铭芯启睿近日宣布，首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai2026）”完成流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R存储结构，容量为1Gb，存储密度为30Mb/mm2，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。
- 新浪财经7x24铭芯启睿泰山一号1Gb RRAM芯片完成流片并进入验证
铭芯启睿宣布，其首代1Gb RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”已完成流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R存储结构，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。
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