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下代Groq LPU或采用3D堆叠DRAM

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报道摘要

英伟达下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM，转向不同于当前一代的大容量 SRAM 缓存方案。大容量 SRAM 能提供快速解码输出，但容量较小、制程升级带来的密度收益有限。

摘自 IT之家

最新进展10月21日 11:24
英伟达下代 Groq LPU 芯片据称转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案

报道时间线

沿着报道，了解事件的不同侧面。

10月21日
  1. IT之家
    英伟达下代 Groq LPU 芯片据称转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案

    英伟达下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM，转向不同于当前一代的大容量 SRAM 缓存方案。大容量 SRAM 能提供快速解码输出，但容量较小、制程升级带来的密度收益有限。

本事件热度走势

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