美光展望vHBM与vEIM
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美光展望vHBM与vEIM
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报道摘要
美光预计在标准HBM5于2028年面世时推出vHBM和vEIM两种新型3D内存。vHBM垂直堆叠DRAM Die、Base Die与XPU逻辑主芯片，可与标准2.5D HBM共存；vEIM面向端侧AI推理，初代产品目标带宽为2TB/s、能效低于1pj/bit。美光计划采用无凸块混合键合技术和集成散热方案。
摘自 IT之家
最新进展10月22日 09:45
美光预计2028年推出垂直堆叠内存vHBM与面向边缘推理的vEIM报道时间线
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10月22日
- IT之家美光预计2028年推出垂直堆叠内存vHBM与面向边缘推理的vEIM
美光预计在标准HBM5于2028年面世时推出vHBM和vEIM两种新型3D内存。vHBM垂直堆叠DRAM Die、Base Die与XPU逻辑主芯片，可与标准2.5D HBM共存；vEIM面向端侧AI推理，初代产品目标带宽为2TB/s、能效低于1pj/bit。美光计划采用无凸块混合键合技术和集成散热方案。
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