康奈尔大学团队实现掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙纪录

美国康奈尔大学领导的研究团队证明，在氧化铝镓薄膜中掺入硅，可在带隙宽于以往任何半导体的情况下保持稳定的导电调控能力。相关论文发表于新一期《自然》杂志。