三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星据悉将采用台积电3纳米工艺，为英伟达生产下一代HBM基底裸片。该消息涉及三星、台积电与英伟达的合作，原文未披露产品型号或量产时间。