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华中科技大学团队制成640×512像素短波红外成像芯片
【红外成像芯片制备 中国团队获重要进展】将做好电路的芯片浸入常温水溶液，红外感光材料便在芯片表面直接“长”了出来。10月28日，华中科技大学光学与电子信息学院、武汉光电国家研究中心唐江教授团队在《自然》杂志在线发表一项研究成果，用室温水溶液工艺让硫化铅感光层直接生长在读出电路上，制成640×512像素的短波红外成像芯片。测试显示，该团队研制的光电二极管在室温下对2.5微米红外光的比探测率（衡量捕捉微弱光信号能力的指标）达到同类器件最高水平，高于同波长的商用铟镓砷探测器；成像芯片各像素响应的均匀性与商用铟镓砷芯片相当，在不制冷、不补光的条件下，清晰拍下了热水、电烙铁等80摄氏度至600摄氏度高温物体的红外图像。这项工艺还可用于柔性电路，制成可弯曲的成像阵列。
AI 导读
华中科技大学唐江团队采用室温水溶液工艺，将硫化铅感光层直接生长在读出电路上，制成640×512像素的短波红外成像芯片。研究发表于《自然》在线版；测试显示，器件对2.5微米红外光的比探测率高于同波长商用铟镓砷探测器，芯片在不制冷、不补光条件下拍摄了80摄氏度至600摄氏度高温物体的红外图像。该工艺还可用于柔性电路，制成可弯曲成像阵列。
推荐理由
该研究将室温水溶液制备与短波红外成像芯片结合，并与商用铟镓砷器件比较，可供判断红外探测器制备路线的研究进展。
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